دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

K4S561632B TC75
K4S561632B TC75
مقدار حافظه 256 مگا بیت
سازمان 16M x 16
بیشترین فرکانس کاری 133 مگا هرتز
زمان دسترسی 5.4 نانو ثانیه
عرض گذرگاه داده 16 بیت
نوع Synchronous Dynamic RAM
نوع نصب روی برد SMD/SMT
بیشترین ولتاژ تغذیه 3.6 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +70 درجه سانتیگراد
برند Samsung Electronics
پکیج TSOP-54
Memory Size 256 Mbit
Organization 16M x 16
Maximum Clock Frequency 133 MHz
Access Time 5.4 ns
Data Bus Width 16 bit
Type Synchronous Dynamic RAM
Mounting Style SMD/SMT
Supply Voltage (Max) 3.6 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature +70 C°
Brand Samsung Electronics
Package TSOP-54
سازمان 16M x 16
بیشترین فرکانس کاری 133 مگا هرتز
زمان دسترسی 5.4 نانو ثانیه
عرض گذرگاه داده 16 بیت
نوع Synchronous Dynamic RAM
نوع نصب روی برد SMD/SMT
بیشترین ولتاژ تغذیه 3.6 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +70 درجه سانتیگراد
برند Samsung Electronics
پکیج TSOP-54
Memory Size 256 Mbit
Organization 16M x 16
Maximum Clock Frequency 133 MHz
Access Time 5.4 ns
Data Bus Width 16 bit
Type Synchronous Dynamic RAM
Mounting Style SMD/SMT
Supply Voltage (Max) 3.6 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature +70 C°
Brand Samsung Electronics
Package TSOP-54