دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

K6T4008C1B DB70
K6T4008C1B DB70
مقدار حافظه 4 مگا بیت
سازمان 512 k x 8
زمان دسترسی 25 نانو ثانیه
انواع رابطها Parallel
نوع نصب روی برد Through Hole
کمترین ولتاژ تغذیه 4.5 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 5.5 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 85 درجه سانتیگراد
برند Samsung Electronics
پکیج DIP-32
Memory Size 4 Mbit
Organization 512 k x 8
Access Time 25 ns
Interface Type Parallel
Mounting Style Through Hole
Supply Voltage (Min) 4.5 V
Supply Voltage (Max) 5.5 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature 85 C°
Brand Samsung Electronics
Package DIP-32
سازمان 512 k x 8
زمان دسترسی 25 نانو ثانیه
انواع رابطها Parallel
نوع نصب روی برد Through Hole
کمترین ولتاژ تغذیه 4.5 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 5.5 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 85 درجه سانتیگراد
برند Samsung Electronics
پکیج DIP-32
Memory Size 4 Mbit
Organization 512 k x 8
Access Time 25 ns
Interface Type Parallel
Mounting Style Through Hole
Supply Voltage (Min) 4.5 V
Supply Voltage (Max) 5.5 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature 85 C°
Brand Samsung Electronics
Package DIP-32