دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

TC511002AP 80
TC511002AP 80
مقدار حافظه 1 مگا بیت
سازمان 1048576 x 1bit
زمان دسترسی 80 نانو ثانیه
عرض گذرگاه داده 1 بیت
نوع DYNAMIC RAM
نوع نصب روی برد Through Hole
بیشترین ولتاژ تغذیه 5.5 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 70 درجه سانتیگراد
برند Toshiba Corporation
پکیج DIP-18
Memory Size 1 Mbit
Organization 1048576 x 1bit
Access Time 80 ns
Data Bus Width 1 bit
Type DYNAMIC RAM
Mounting Style Through Hole
Supply Voltage (Max) 5.5 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature 70 C°
Brand Toshiba Corporation
Package DIP-18
سازمان 1048576 x 1bit
زمان دسترسی 80 نانو ثانیه
عرض گذرگاه داده 1 بیت
نوع DYNAMIC RAM
نوع نصب روی برد Through Hole
بیشترین ولتاژ تغذیه 5.5 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 70 درجه سانتیگراد
برند Toshiba Corporation
پکیج DIP-18
Memory Size 1 Mbit
Organization 1048576 x 1bit
Access Time 80 ns
Data Bus Width 1 bit
Type DYNAMIC RAM
Mounting Style Through Hole
Supply Voltage (Max) 5.5 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature 70 C°
Brand Toshiba Corporation
Package DIP-18

