دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

TC514256P 10
TC514256P 10
مقدار حافظه 1 مگا بیت
سازمان 262144 x 4bit
زمان دسترسی 100 نانو ثانیه
عرض گذرگاه داده 4 بیت
نوع Dynamic RAM
نوع نصب روی برد Through Hole
بیشترین ولتاژ تغذیه 5.5 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +70 درجه سانتیگراد
برند Toshiba Corporation
پکیج DIP-20
Memory Size 1 Mbit
Organization 262144 x 4bit
Access Time 100 ns
Data Bus Width 4 bit
Type Dynamic RAM
Mounting Style Through Hole
Supply Voltage (Max) 5.5 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature +70 C°
Brand Toshiba Corporation
Package DIP-20
سازمان 262144 x 4bit
زمان دسترسی 100 نانو ثانیه
عرض گذرگاه داده 4 بیت
نوع Dynamic RAM
نوع نصب روی برد Through Hole
بیشترین ولتاژ تغذیه 5.5 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +70 درجه سانتیگراد
برند Toshiba Corporation
پکیج DIP-20
Memory Size 1 Mbit
Organization 262144 x 4bit
Access Time 100 ns
Data Bus Width 4 bit
Type Dynamic RAM
Mounting Style Through Hole
Supply Voltage (Max) 5.5 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature +70 C°
Brand Toshiba Corporation
Package DIP-20