دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

K4H511638D UCB3
K4H511638D UCB3
مقدار حافظه 512 مگا بیت
سازمان 32 M x 16
بیشترین فرکانس کاری 400 مگا هرتز
زمان دسترسی 0.65 نانو ثانیه
عرض گذرگاه داده 16 بیت
نوع DDR SDRAM
نوع نصب روی برد SMD/SMT
بیشترین ولتاژ تغذیه 2.7 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +70 درجه سانتیگراد
برند Samsung Electronics
پکیج TSOP-66
Memory Size 512 Mbit
Organization 32 M x 16
Maximum Clock Frequency 400 MHz
Access Time 0.65 ns
Data Bus Width 16 bit
Type DDR SDRAM
Mounting Style SMD/SMT
Supply Voltage (Max) 2.7 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature +70 C°
Brand Samsung Electronics
Package TSOP-66
سازمان 32 M x 16
بیشترین فرکانس کاری 400 مگا هرتز
زمان دسترسی 0.65 نانو ثانیه
عرض گذرگاه داده 16 بیت
نوع DDR SDRAM
نوع نصب روی برد SMD/SMT
بیشترین ولتاژ تغذیه 2.7 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +70 درجه سانتیگراد
برند Samsung Electronics
پکیج TSOP-66
Memory Size 512 Mbit
Organization 32 M x 16
Maximum Clock Frequency 400 MHz
Access Time 0.65 ns
Data Bus Width 16 bit
Type DDR SDRAM
Mounting Style SMD/SMT
Supply Voltage (Max) 2.7 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature +70 C°
Brand Samsung Electronics
Package TSOP-66