BFG520 X

فرکانس 9 گیگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 15 ولت
جریان کلکتور 70 میلی آمپر
نوع پیکربندی 1
بهره تقویت 60
ولتاژ پایه امیتر 2.5 ولت
اتلاف قدرت 300 میلی وات
نوع Silicon Planar Epitaxial Transistors
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند NXP Semiconductors
پکیج SOT-143
Frequency 9 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 15 V
DC Collector Current 70 mA
Configuration 1
Gain-hfe 60
Emitter-Base Voltage (VEBO) 2.5 V
Power Dissipation 300 mW
Type Silicon Planar Epitaxial Transistors
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand NXP Semiconductors
Package SOT-143