BFU668F 115

فرکانس 20 گیگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 5.5 ولت
جریان کلکتور 40 میلی آمپر
نوع پیکربندی 2
بهره تقویت 90 بتا
ولتاژ پایه امیتر 2.5 ولت
اتلاف قدرت 200 میلی وات
نوع Wideband Silicon RF Transistor
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند NXP Semiconductors
پکیج SOT-343 (SC-61)
Frequency 20 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 5.5 V
DC Collector Current 40 mA
Configuration 2
Gain-hfe 90 (β)
Emitter-Base Voltage (VEBO) 2.5 V
Power Dissipation 200 mW
Type Wideband Silicon RF Transistor
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand NXP Semiconductors
Package SOT-343 (SC-61)