2SC3356 T1B A

فرکانس 7 گیگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 12 ولت
جریان کلکتور 100 میلی آمپر
بهره تقویت 120
نوع پیکربندی Single
ولتاژ پایه امیتر 3 ولت
اتلاف قدرت 200 میلی وات
نوع Silicon RF Transistors
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Renesas Technology
پکیج SOT-23 (SC-59)
Frequency 7 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 12 V
DC Collector Current 100 mA
Gain-hfe 120
Configuration Single
Emitter-Base Voltage (VEBO) 3 V
Power Dissipation 200 mW
Type Silicon RF Transistors
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Renesas Technology
Package SOT-23 (SC-59)