دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

NBB 310
NBB 310
فرکانس 12 گیگا هرتز
بهره تقویت 13 دسی بل
فن آوری GaAs InGaP
شکل سیگنال 4.9 دسی بل
نوع General Purpose Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT
جریان تامین 50 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 4.4 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 4.9 ولت
حداقل دمای عملیاتی -45 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند RF Micro Devices
پکیج MICRO X-4
Frequency 12 GHz
Gain 13 dB
Technology GaAs InGaP
NF-Noise Figure 4.9 dB
Type General Purpose Amplifier
Mounting Style SMD/SMT
Supply Current 50 mA
Supply Voltage (Min) 4.4 V
Supply Voltage (Max) 4.9 V
Minimum Operating Temperature -45 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand RF Micro Devices
Package MICRO X-4
بهره تقویت 13 دسی بل
فن آوری GaAs InGaP
شکل سیگنال 4.9 دسی بل
نوع General Purpose Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT
جریان تامین 50 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 4.4 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 4.9 ولت
حداقل دمای عملیاتی -45 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند RF Micro Devices
پکیج MICRO X-4
Frequency 12 GHz
Gain 13 dB
Technology GaAs InGaP
NF-Noise Figure 4.9 dB
Type General Purpose Amplifier
Mounting Style SMD/SMT
Supply Current 50 mA
Supply Voltage (Min) 4.4 V
Supply Voltage (Max) 4.9 V
Minimum Operating Temperature -45 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand RF Micro Devices
Package MICRO X-4