دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

TA7504P
TA7504P
سرعت 0.5 ولت بر میکروثانیه
جریان ورودی 200 نانو آمپر
ولتاژ ورودی افست 1 میلی ولت
نوع نصب روی برد Through Hole
حداقل دمای عملیاتی -30 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 75 درجه سانتیگراد
برند Toshiba Corporation
پکیج DIP-8
Slew Rate 0.5 V/µs
Input Bias Current 200 nA
Input Offset Voltage 1 mV
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -30 C°
Maximum Operating Temperature 75 C°
Brand Toshiba Corporation
Package DIP-8
جریان ورودی 200 نانو آمپر
ولتاژ ورودی افست 1 میلی ولت
نوع نصب روی برد Through Hole
حداقل دمای عملیاتی -30 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 75 درجه سانتیگراد
برند Toshiba Corporation
پکیج DIP-8
Slew Rate 0.5 V/µs
Input Bias Current 200 nA
Input Offset Voltage 1 mV
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -30 C°
Maximum Operating Temperature 75 C°
Brand Toshiba Corporation
Package DIP-8