دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

TA75558P
TA75558P
فرکانس 3 مگا هرتز
سرعت 1 ولت بر میکروثانیه
جریان ورودی 60 نانو آمپر
ولتاژ ورودی افست 0.5 میلی ولت
نوع نصب روی برد Through Hole
جریان تامین 4 میلی آمپر
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 85 درجه سانتیگراد
برند Toshiba Corporation
پکیج DIP-8
Gain Bandwidth Product (fT) 3 MHz
Slew Rate 1 V/µs
Input Bias Current 60 nA
Input Offset Voltage 0.5 mV
Mounting Style Through Hole
Supply Current 4 mA
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature 85 C°
Brand Toshiba Corporation
Package DIP-8
سرعت 1 ولت بر میکروثانیه
جریان ورودی 60 نانو آمپر
ولتاژ ورودی افست 0.5 میلی ولت
نوع نصب روی برد Through Hole
جریان تامین 4 میلی آمپر
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 85 درجه سانتیگراد
برند Toshiba Corporation
پکیج DIP-8
Gain Bandwidth Product (fT) 3 MHz
Slew Rate 1 V/µs
Input Bias Current 60 nA
Input Offset Voltage 0.5 mV
Mounting Style Through Hole
Supply Current 4 mA
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature 85 C°
Brand Toshiba Corporation
Package DIP-8