دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

BFP620
BFP620
فرکانس 65 گیگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 2.3 ولت
جریان کلکتور 80 میلی آمپر
نوع پیکربندی 1
بهره تقویت 180
ولتاژ پایه امیتر 1.2 ولت
اتلاف قدرت 185 میلی وات
نوع RF Silicon Germanium
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Infineon Technologies
پکیج SOT-343 (SC-61)
Frequency 65 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.3 V
DC Collector Current 80 mA
Configuration 1
Gain-hfe 180
Emitter-Base Voltage (VEBO) 1.2 V
Power Dissipation 185 mW
Type RF Silicon Germanium
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Infineon Technologies
Package SOT-343 (SC-61)
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 2.3 ولت
جریان کلکتور 80 میلی آمپر
نوع پیکربندی 1
بهره تقویت 180
ولتاژ پایه امیتر 1.2 ولت
اتلاف قدرت 185 میلی وات
نوع RF Silicon Germanium
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Infineon Technologies
پکیج SOT-343 (SC-61)
Frequency 65 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.3 V
DC Collector Current 80 mA
Configuration 1
Gain-hfe 180
Emitter-Base Voltage (VEBO) 1.2 V
Power Dissipation 185 mW
Type RF Silicon Germanium
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Infineon Technologies
Package SOT-343 (SC-61)