دستهبندی: نیمه هادی ها


BUP403
BUP403
توضیحات
نام قطعه: BUP403
نام کارخانهای: BUP403
تعداد در بسته: 50 عدد
برند: Siemens Semiconductor Group
پکیج: TO-220AB
بستهبندی: Tube
عنوان گروه: IGBT Transistors
دیتاشیت: BUP403
توضیحات: IGBT-600V,42A,200W N-Channel Iso-Gate Bipolar Transistor (Igbt) ; L, 600V, 42A, 150W, 130 / 750nS
نام کارخانهای: BUP403
تعداد در بسته: 50 عدد
برند: Siemens Semiconductor Group
پکیج: TO-220AB
بستهبندی: Tube
عنوان گروه: IGBT Transistors
دیتاشیت: BUP403
توضیحات: IGBT-600V,42A,200W N-Channel Iso-Gate Bipolar Transistor (Igbt) ; L, 600V, 42A, 150W, 130 / 750nS
نقد و بررسی
ولتاژ کلکتور-امیتر 600 ولت
جریان کلکتور 42 آمپر
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 2.7 ولت
حداکثر ولتاژ راه انداز امیتر 20 ولت
نوع پیکربندی Single
اتلاف قدرت 200 وات
نوع نصب روی برد Through Hole
حداقل دمای عملیاتی -55 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Siemens Semiconductor Group
پکیج TO-220AB
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600 V
DC Collector Current 42 A
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Configuration Single
Power Dissipation 200 W
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -55 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Siemens Semiconductor Group
Package TO-220AB
جریان کلکتور 42 آمپر
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 2.7 ولت
حداکثر ولتاژ راه انداز امیتر 20 ولت
نوع پیکربندی Single
اتلاف قدرت 200 وات
نوع نصب روی برد Through Hole
حداقل دمای عملیاتی -55 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Siemens Semiconductor Group
پکیج TO-220AB
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600 V
DC Collector Current 42 A
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Configuration Single
Power Dissipation 200 W
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -55 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Siemens Semiconductor Group
Package TO-220AB
نظرات
دستهبندی: نیمه هادی ها