2SC5107

فرکانس 6 گیگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 10 ولت
جریان کلکتور 30 میلی آمپر
نوع پیکربندی Single
بهره تقویت 240
ولتاژ پایه امیتر 3 ولت
اتلاف قدرت 100 میلی وات
نوع Silicon NPN Epitaxial Planar Transistors
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -55 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 125 درجه سانتیگراد
برند Toshiba Corporation
پکیج SOT-323 (SC-70)
Frequency 6 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 10 V
DC Collector Current 30 mA
Configuration Single
Gain-hfe 240
Emitter-Base Voltage (VEBO) 3 V
Power Dissipation 100 mW
Type Silicon NPN Epitaxial Planar Transistors
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -55 C°
Maximum Operating Temperature 125 C°
Brand Toshiba Corporation
Package SOT-323 (SC-70)