دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

NE85633 T1B A
NE85633 T1B A
فرکانس 7 گیگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 12 ولت
جریان کلکتور 100 میلی آمپر
نوع پیکربندی Single
بهره تقویت 250
ولتاژ پایه امیتر 3 ولت
اتلاف قدرت 200 میلی وات
نوع RF Bipolar Small Signal
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند California Eastern Laboratories
پکیج SOT-23 (SC-59)
Frequency 7 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 12 V
DC Collector Current 100 mA
Configuration Single
Gain-hfe 250
Emitter-Base Voltage (VEBO) 3 V
Power Dissipation 200 mW
Type RF Bipolar Small Signal
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand California Eastern Laboratories
Package SOT-23 (SC-59)
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 12 ولت
جریان کلکتور 100 میلی آمپر
نوع پیکربندی Single
بهره تقویت 250
ولتاژ پایه امیتر 3 ولت
اتلاف قدرت 200 میلی وات
نوع RF Bipolar Small Signal
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند California Eastern Laboratories
پکیج SOT-23 (SC-59)
Frequency 7 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 12 V
DC Collector Current 100 mA
Configuration Single
Gain-hfe 250
Emitter-Base Voltage (VEBO) 3 V
Power Dissipation 200 mW
Type RF Bipolar Small Signal
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand California Eastern Laboratories
Package SOT-23 (SC-59)