دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

2N5715
2N5715
فرکانس 3.5 گیگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 30 ولت
جریان کلکتور 200 میلی آمپر
نوع پیکربندی Single
اتلاف قدرت 6 وات
نوع RF Power Silicon NPN
نوع نصب روی برد Through Hole
حداکثر دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد
برند STMicroelectronics
پکیج TO-39
Frequency 3.5 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 30 V
DC Collector Current 200 mA
Configuration Single
Power Dissipation 6 W
Type RF Power Silicon NPN
Mounting Style Through Hole
Maximum Operating Temperature 175 C°
Brand STMicroelectronics
Package TO-39
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 30 ولت
جریان کلکتور 200 میلی آمپر
نوع پیکربندی Single
اتلاف قدرت 6 وات
نوع RF Power Silicon NPN
نوع نصب روی برد Through Hole
حداکثر دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد
برند STMicroelectronics
پکیج TO-39
Frequency 3.5 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 30 V
DC Collector Current 200 mA
Configuration Single
Power Dissipation 6 W
Type RF Power Silicon NPN
Mounting Style Through Hole
Maximum Operating Temperature 175 C°
Brand STMicroelectronics
Package TO-39