BFG135

فرکانس 7 گیگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 15 ولت
جریان کلکتور 150 میلی آمپر
نوع پیکربندی 1
بهره تقویت 80
ولتاژ پایه امیتر 2 ولت
اتلاف قدرت 1 وات
نوع Silicon Planar Epitaxial Transistors
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند NXP Semiconductors
پکیج SOT-223
Frequency 7 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 15 V
DC Collector Current 150 mA
Configuration 1
Gain-hfe 80
Emitter-Base Voltage (VEBO) 2 V
Power Dissipation 1 W
Type Silicon Planar Epitaxial Transistors
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand NXP Semiconductors
Package SOT-223