دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

BFG591
BFG591
فرکانس 7 گیگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 15 ولت
جریان کلکتور 200 میلی آمپر
نوع پیکربندی 1
بهره تقویت 60
ولتاژ پایه امیتر 3 ولت
اتلاف قدرت 2 وات
نوع RF Bipolar Small Signal
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند NXP Semiconductors
پکیج SOT-223
Frequency 7 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 15 V
DC Collector Current 200 mA
Configuration 1
Gain-hfe 60
Emitter-Base Voltage (VEBO) 3 V
Power Dissipation 2 W
Type RF Bipolar Small Signal
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand NXP Semiconductors
Package SOT-223
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 15 ولت
جریان کلکتور 200 میلی آمپر
نوع پیکربندی 1
بهره تقویت 60
ولتاژ پایه امیتر 3 ولت
اتلاف قدرت 2 وات
نوع RF Bipolar Small Signal
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند NXP Semiconductors
پکیج SOT-223
Frequency 7 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 15 V
DC Collector Current 200 mA
Configuration 1
Gain-hfe 60
Emitter-Base Voltage (VEBO) 3 V
Power Dissipation 2 W
Type RF Bipolar Small Signal
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand NXP Semiconductors
Package SOT-223