MRF951

فرکانس 2 گیگا هرتز
فن آوری Si
منفی یا مثبت NPN قطب
ولتاژ کلکتور-امیتر 10 ولت
جریان کلکتور 100 میلی آمپر
بهره تقویت 200
نوع پیکربندی Single
ولتاژ پایه امیتر 1.5 ولت
اتلاف قدرت 475 وات
نوع Silicon RF Transistors
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Microsemi Corporation
پکیج MICRO X-4
Frequency 2 GHz
Technology Si
Polarity NPN Type
Collector Emitter Voltage (VCEO) 10 V
DC Collector Current 100 mA
Gain-hfe 200
Configuration Single
Emitter-Base Voltage (VEBO) 1.5 V
Power Dissipation 475 W
Type Silicon RF Transistors
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Microsemi Corporation
Package MICRO X-4