دستهبندی: نیمه هادی ها Semiconductors
آی جی بی تی IKW40N120CS6 پکیج TO-247AD
IKW40N120CS6
ندارد - کالای اصل 🏅
توضیحات
نام قطعه: IKW40N120CS6
نام کارخانهای: IKW40N120CS6
تعداد در بسته: 30 عدد
برند: Infineon Technologies
پکیج: TO-247AD (TO-3P)
بستهبندی: Tube
عنوان گروه: IGBT Transistors
دیتاشیت: IKW40N120CS6
توضیحات: IGBT-1200V,40A,483W,57nS HIGH SPEED SWITHING;1200V,40A,483W,57nS
نام کارخانهای: IKW40N120CS6
تعداد در بسته: 30 عدد
برند: Infineon Technologies
پکیج: TO-247AD (TO-3P)
بستهبندی: Tube
عنوان گروه: IGBT Transistors
دیتاشیت: IKW40N120CS6
توضیحات: IGBT-1200V,40A,483W,57nS HIGH SPEED SWITHING;1200V,40A,483W,57nS
نقد و بررسی
ولتاژ کلکتور-امیتر 1200 ولت
جریان کلکتور 80 آمپر
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 2.05 ولت
نوع پیکربندی Single
حداکثر ولتاژ راه انداز امیتر 20 ولت
اتلاف قدرت 483 وات
نوع نصب روی برد Through Hole
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد
برند Infineon Technologies
پکیج TO-247AD (TO-3P)
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1200 V
DC Collector Current 80 A
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V
Configuration Single
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Power Dissipation 483 W
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature 175 C°
Brand Infineon Technologies
Package TO-247AD (TO-3P)
جریان کلکتور 80 آمپر
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 2.05 ولت
نوع پیکربندی Single
حداکثر ولتاژ راه انداز امیتر 20 ولت
اتلاف قدرت 483 وات
نوع نصب روی برد Through Hole
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد
برند Infineon Technologies
پکیج TO-247AD (TO-3P)
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1200 V
DC Collector Current 80 A
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V
Configuration Single
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Power Dissipation 483 W
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature 175 C°
Brand Infineon Technologies
Package TO-247AD (TO-3P)
نظرات
دستهبندی: نیمه هادی ها Semiconductors