دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

BGB540
BGB540
فرکانس 1.8 گیگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 4.5 ولت
جریان کلکتور 80 میلی آمپر
نوع پیکربندی Single
ولتاژ پایه امیتر 1.2 ولت
اتلاف قدرت 250 میلی وات
نوع RF Transistor
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Infineon Technologies
پکیج SOT-343 (SC-61)
Frequency 1.8 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 4.5 V
DC Collector Current 80 mA
Configuration Single
Emitter-Base Voltage (VEBO) 1.2 V
Power Dissipation 250 mW
Type RF Transistor
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Infineon Technologies
Package SOT-343 (SC-61)
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 4.5 ولت
جریان کلکتور 80 میلی آمپر
نوع پیکربندی Single
ولتاژ پایه امیتر 1.2 ولت
اتلاف قدرت 250 میلی وات
نوع RF Transistor
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Infineon Technologies
پکیج SOT-343 (SC-61)
Frequency 1.8 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 4.5 V
DC Collector Current 80 mA
Configuration Single
Emitter-Base Voltage (VEBO) 1.2 V
Power Dissipation 250 mW
Type RF Transistor
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Infineon Technologies
Package SOT-343 (SC-61)