دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

HMC451LP3
HMC451LP3
فرکانس 18 گیگا هرتز
بهره تقویت 18 دسی بل
فن آوری GaAs
شکل سیگنال 7 دسی بل
نوع Power Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT نصب سطحی
جریان تامین 120 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 4.5 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 5.5 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند Hittite Microwave
پکیج QFN-16
Frequency 18 GHz
Gain 18 dB
Technology GaAs
NF-Noise Figure 7 dB
Type Power Amplifier
Mounting Style SMD/SMT SMD/SMT
Supply Current 120 mA
Supply Voltage (Min) 4.5 V
Supply Voltage (Max) 5.5 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand Hittite Microwave
Package QFN-16
بهره تقویت 18 دسی بل
فن آوری GaAs
شکل سیگنال 7 دسی بل
نوع Power Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT نصب سطحی
جریان تامین 120 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 4.5 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 5.5 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند Hittite Microwave
پکیج QFN-16
Frequency 18 GHz
Gain 18 dB
Technology GaAs
NF-Noise Figure 7 dB
Type Power Amplifier
Mounting Style SMD/SMT SMD/SMT
Supply Current 120 mA
Supply Voltage (Min) 4.5 V
Supply Voltage (Max) 5.5 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand Hittite Microwave
Package QFN-16