BFR740L3RH

فرکانس 42 گیگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری SiGe
ولتاژ کلکتور-امیتر 4 ولت
جریان کلکتور 30 میلی آمپر
نوع پیکربندی Single
بهره تقویت 250
ولتاژ پایه امیتر 1.2 ولت
اتلاف قدرت 160 میلی وات
نوع RF Silicon Germanium
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Infineon Technologies
پکیج TSLP-3-9
Frequency 42 GHz
Polarity NPN Type
Technology SiGe
Collector Emitter Voltage (VCEO) 4 V
DC Collector Current 30 mA
Configuration Single
Gain-hfe 250
Emitter-Base Voltage (VEBO) 1.2 V
Power Dissipation 160 mW
Type RF Silicon Germanium
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Infineon Technologies
Package TSLP-3-9