دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

HMC1082LP4E
HMC1082LP4E
فرکانس 18 گیگا هرتز
بهره تقویت 22 دسی بل
فن آوری GaAs
نوع Driver Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT نصب سطحی
جریان تامین 220 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 4.5 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 5 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند Hittite Microwave
پکیج QFN-24
Frequency 18 GHz
Gain 22 dB
Technology GaAs
Type Driver Amplifier
Mounting Style SMD/SMT SMD/SMT
Supply Current 220 mA
Supply Voltage (Min) 4.5 V
Supply Voltage (Max) 5 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand Hittite Microwave
Package QFN-24
بهره تقویت 22 دسی بل
فن آوری GaAs
نوع Driver Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT نصب سطحی
جریان تامین 220 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 4.5 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 5 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند Hittite Microwave
پکیج QFN-24
Frequency 18 GHz
Gain 22 dB
Technology GaAs
Type Driver Amplifier
Mounting Style SMD/SMT SMD/SMT
Supply Current 220 mA
Supply Voltage (Min) 4.5 V
Supply Voltage (Max) 5 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand Hittite Microwave
Package QFN-24