دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

BFR96S
BFR96S
فرکانس 5 گیگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 15 ولت
جریان کلکتور 100 میلی آمپر
نوع پیکربندی Single
بهره تقویت 75
ولتاژ پایه امیتر 20
اتلاف قدرت 700 میلی وات
نوع Silicon Bipolar RF Transistors
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -45 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +70 درجه سانتیگراد
برند Philips Semiconductor
پکیج SOT-37
Frequency 5 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 15 V
DC Collector Current 100 mA
Configuration Single
Gain-hfe 75
Emitter-Base Voltage (VEBO) 20
Power Dissipation 700 mW
Type Silicon Bipolar RF Transistors
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -45 C°
Maximum Operating Temperature +70 C°
Brand Philips Semiconductor
Package SOT-37
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 15 ولت
جریان کلکتور 100 میلی آمپر
نوع پیکربندی Single
بهره تقویت 75
ولتاژ پایه امیتر 20
اتلاف قدرت 700 میلی وات
نوع Silicon Bipolar RF Transistors
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -45 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +70 درجه سانتیگراد
برند Philips Semiconductor
پکیج SOT-37
Frequency 5 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 15 V
DC Collector Current 100 mA
Configuration Single
Gain-hfe 75
Emitter-Base Voltage (VEBO) 20
Power Dissipation 700 mW
Type Silicon Bipolar RF Transistors
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -45 C°
Maximum Operating Temperature +70 C°
Brand Philips Semiconductor
Package SOT-37