دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

BFG425W
BFG425W
فرکانس 25 گیگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 4.5 ولت
جریان کلکتور 30 میلی آمپر
نوع پیکربندی 1
بهره تقویت 80
ولتاژ پایه امیتر 1 ولت
اتلاف قدرت 135 میلی وات
نوع RF Bipolar Small Signal
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند NXP Semiconductors
پکیج SOT-343 (SC-61)
Frequency 25 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 4.5 V
DC Collector Current 30 mA
Configuration 1
Gain-hfe 80
Emitter-Base Voltage (VEBO) 1 V
Power Dissipation 135 mW
Type RF Bipolar Small Signal
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand NXP Semiconductors
Package SOT-343 (SC-61)
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 4.5 ولت
جریان کلکتور 30 میلی آمپر
نوع پیکربندی 1
بهره تقویت 80
ولتاژ پایه امیتر 1 ولت
اتلاف قدرت 135 میلی وات
نوع RF Bipolar Small Signal
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند NXP Semiconductors
پکیج SOT-343 (SC-61)
Frequency 25 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 4.5 V
DC Collector Current 30 mA
Configuration 1
Gain-hfe 80
Emitter-Base Voltage (VEBO) 1 V
Power Dissipation 135 mW
Type RF Bipolar Small Signal
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand NXP Semiconductors
Package SOT-343 (SC-61)