2SC3355

فرکانس 6.5 گیگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 12 ولت
جریان کلکتور 100 میلی آمپر
نوع پیکربندی Single
بهره تقویت 120
ولتاژ پایه امیتر 3 ولت
اتلاف قدرت 600 میلی وات
نوع Silicon Epitaxial Transistors
نوع نصب روی برد Through Hole
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند NEC Electronics
پکیج TO-92
Frequency 6.5 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 12 V
DC Collector Current 100 mA
Configuration Single
Gain-hfe 120
Emitter-Base Voltage (VEBO) 3 V
Power Dissipation 600 mW
Type Silicon Epitaxial Transistors
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand NEC Electronics
Package TO-92