دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

RF5117
RF5117
فرکانس 2.8 گیگا هرتز
بهره تقویت 26 دسی بل
فن آوری GaAs
نوع Power Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT
جریان تامین 600 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 3 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 5 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند RF Micro Devices
پکیج QFN-16
Frequency 2.8 GHz
Gain 26 dB
Technology GaAs
Type Power Amplifier
Mounting Style SMD/SMT
Supply Current 600 mA
Supply Voltage (Min) 3 V
Supply Voltage (Max) 5 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand RF Micro Devices
Package QFN-16
بهره تقویت 26 دسی بل
فن آوری GaAs
نوع Power Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT
جریان تامین 600 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 3 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 5 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند RF Micro Devices
پکیج QFN-16
Frequency 2.8 GHz
Gain 26 dB
Technology GaAs
Type Power Amplifier
Mounting Style SMD/SMT
Supply Current 600 mA
Supply Voltage (Min) 3 V
Supply Voltage (Max) 5 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand RF Micro Devices
Package QFN-16