دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

RF2104
RF2104
فرکانس 1 گیگا هرتز
بهره تقویت 35 دسی بل
فن آوری Si
شکل سیگنال 5.5 دسی بل
نوع Power Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT
جریان تامین 500 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 2.7 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 3.6 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند RF Micro Devices
پکیج SO-16
Frequency 1 GHz
Gain 35 dB
Technology Si
NF-Noise Figure 5.5 dB
Type Power Amplifier
Mounting Style SMD/SMT
Supply Current 500 mA
Supply Voltage (Min) 2.7 V
Supply Voltage (Max) 3.6 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand RF Micro Devices
Package SO-16
بهره تقویت 35 دسی بل
فن آوری Si
شکل سیگنال 5.5 دسی بل
نوع Power Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT
جریان تامین 500 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 2.7 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 3.6 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند RF Micro Devices
پکیج SO-16
Frequency 1 GHz
Gain 35 dB
Technology Si
NF-Noise Figure 5.5 dB
Type Power Amplifier
Mounting Style SMD/SMT
Supply Current 500 mA
Supply Voltage (Min) 2.7 V
Supply Voltage (Max) 3.6 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand RF Micro Devices
Package SO-16