دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

NESG2101M05 A
NESG2101M05 A
فرکانس 17 گیگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 5 ولت
جریان کلکتور 100 میلی آمپر
نوع پیکربندی Single
بهره تقویت 120
ولتاژ پایه امیتر 1.5 ولت
اتلاف قدرت 175 میلی وات
نوع RF Silicon Germanium
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند California Eastern Laboratories
پکیج SOT-343 (SC-61)
Frequency 17 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 5 V
DC Collector Current 100 mA
Configuration Single
Gain-hfe 120
Emitter-Base Voltage (VEBO) 1.5 V
Power Dissipation 175 mW
Type RF Silicon Germanium
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand California Eastern Laboratories
Package SOT-343 (SC-61)
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 5 ولت
جریان کلکتور 100 میلی آمپر
نوع پیکربندی Single
بهره تقویت 120
ولتاژ پایه امیتر 1.5 ولت
اتلاف قدرت 175 میلی وات
نوع RF Silicon Germanium
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند California Eastern Laboratories
پکیج SOT-343 (SC-61)
Frequency 17 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 5 V
DC Collector Current 100 mA
Configuration Single
Gain-hfe 120
Emitter-Base Voltage (VEBO) 1.5 V
Power Dissipation 175 mW
Type RF Silicon Germanium
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand California Eastern Laboratories
Package SOT-343 (SC-61)