دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

TC5029BP
TC5029BP
تعداد گیتها 4 عدد
تعداد ورودی 2 ورودی
کارکرد NAND
زمان تاخیر انتشار 500 نانو ثانیه
نوع نصب روی برد Through Hole
کمترین ولتاژ تغذیه 3 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 18 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند Toshiba Corporation
پکیج DIP-14
Number of Gates 4 Pcs
Number of Input 2 Input
Function NAND
Propagation Delay Time 500 ns
Mounting Style Through Hole
Supply Voltage (Min) 3 V
Supply Voltage (Max) 18 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand Toshiba Corporation
Package DIP-14
تعداد ورودی 2 ورودی
کارکرد NAND
زمان تاخیر انتشار 500 نانو ثانیه
نوع نصب روی برد Through Hole
کمترین ولتاژ تغذیه 3 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 18 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند Toshiba Corporation
پکیج DIP-14
Number of Gates 4 Pcs
Number of Input 2 Input
Function NAND
Propagation Delay Time 500 ns
Mounting Style Through Hole
Supply Voltage (Min) 3 V
Supply Voltage (Max) 18 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand Toshiba Corporation
Package DIP-14