دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

FZ1200R33KF2C
FZ1200R33KF2C
ولتاژ کلکتور-امیتر 3300 ولت
جریان کلکتور 2000 آمپر
جریان کلکتور 2 کیلو آمپر
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 3.4 ولت
نوع پیکربندی Triple Common Emitter Common Gate
اتلاف قدرت 14.5 کیلو وات
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 125 درجه سانتیگراد
برند Infineon Technologies
پکیج Module
Collector Emitter Voltage (VCEO) 3300 V
DC Collector Current 2000 A
DC Collector Current 2 kA
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.4 V
Configuration Triple Common Emitter Common Gate
Power Dissipation 14.5 kW
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature 125 C°
Brand Infineon Technologies
Package Module
جریان کلکتور 2000 آمپر
جریان کلکتور 2 کیلو آمپر
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 3.4 ولت
نوع پیکربندی Triple Common Emitter Common Gate
اتلاف قدرت 14.5 کیلو وات
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 125 درجه سانتیگراد
برند Infineon Technologies
پکیج Module
Collector Emitter Voltage (VCEO) 3300 V
DC Collector Current 2000 A
DC Collector Current 2 kA
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.4 V
Configuration Triple Common Emitter Common Gate
Power Dissipation 14.5 kW
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature 125 C°
Brand Infineon Technologies
Package Module