دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

LM6361N
LM6361N
تعداد کانال 1 کانال
فرکانس 35 مگا هرتز
نوع تغذیه Single|Dual ساپورت
سرعت 200 ولت بر میکروثانیه
جریان ورودی 5 میکرو آمپر
ولتاژ ورودی افست 20 میلی ولت
تراکم جریان ورودی ورودی 1.5 pA/sqrt هرتز
جریان ورودی افست 1500 نانو آمپر
نوع نصب روی برد Through Hole
جریان تامین 6.8 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 4.75 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 32 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +70 درجه سانتیگراد
برند National Semiconductor
پکیج DIP-8
Number of Channels 1 Channel
Gain Bandwidth Product (fT) 35 MHz
Supply Type Single|Dual Supply
Slew Rate 200 V/µs
Input Bias Current 5 µA
Input Offset Voltage 20 mV
Input Noise Current Density 1.5 pA/sqrt Hz
Input Offset Current 1500 nA
Mounting Style Through Hole
Supply Current 6.8 mA
Supply Voltage (Min) 4.75 V
Supply Voltage (Max) 32 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature +70 C°
Brand National Semiconductor
Package DIP-8
فرکانس 35 مگا هرتز
نوع تغذیه Single|Dual ساپورت
سرعت 200 ولت بر میکروثانیه
جریان ورودی 5 میکرو آمپر
ولتاژ ورودی افست 20 میلی ولت
تراکم جریان ورودی ورودی 1.5 pA/sqrt هرتز
جریان ورودی افست 1500 نانو آمپر
نوع نصب روی برد Through Hole
جریان تامین 6.8 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 4.75 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 32 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +70 درجه سانتیگراد
برند National Semiconductor
پکیج DIP-8
Number of Channels 1 Channel
Gain Bandwidth Product (fT) 35 MHz
Supply Type Single|Dual Supply
Slew Rate 200 V/µs
Input Bias Current 5 µA
Input Offset Voltage 20 mV
Input Noise Current Density 1.5 pA/sqrt Hz
Input Offset Current 1500 nA
Mounting Style Through Hole
Supply Current 6.8 mA
Supply Voltage (Min) 4.75 V
Supply Voltage (Max) 32 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature +70 C°
Brand National Semiconductor
Package DIP-8