دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

RF2312
RF2312
فرکانس 725 مگا هرتز
فن آوری Si
بهره تقویت 15.5 دسی بل
شکل سیگنال 3.8 دسی بل
نوع General Purpose Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT
جریان تامین 100 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 5 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 12 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند RF Micro Devices
پکیج SO-8 (SOP-8)
Frequency 725 MHz
Technology Si
Gain 15.5 dB
NF-Noise Figure 3.8 dB
Type General Purpose Amplifier
Mounting Style SMD/SMT
Supply Current 100 mA
Supply Voltage (Min) 5 V
Supply Voltage (Max) 12 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand RF Micro Devices
Package SO-8 (SOP-8)
فن آوری Si
بهره تقویت 15.5 دسی بل
شکل سیگنال 3.8 دسی بل
نوع General Purpose Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT
جریان تامین 100 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 5 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 12 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند RF Micro Devices
پکیج SO-8 (SOP-8)
Frequency 725 MHz
Technology Si
Gain 15.5 dB
NF-Noise Figure 3.8 dB
Type General Purpose Amplifier
Mounting Style SMD/SMT
Supply Current 100 mA
Supply Voltage (Min) 5 V
Supply Voltage (Max) 12 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand RF Micro Devices
Package SO-8 (SOP-8)