دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

LP311N
LP311N
تعداد کانال 1 کانال
زمان پاسخ 1.2 میکرو ثانیه
نوع خروجی Open Collector and Emitter
جریان ورودی 100 نانو آمپر
ولتاژ ورودی افست 7.5 میلی ولت
نوع نصب روی برد Through Hole
جریان تامین 300 میکرو آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 3 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 36 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 70 درجه سانتیگراد
برند National Semiconductor
پکیج DIP-8
Number of Channels 1 Channel
Response Time 1.2 µs
Output Type Open Collector and Emitter
Input Bias Current 100 nA
Input Offset Voltage 7.5 mV
Mounting Style Through Hole
Supply Current 300 µA
Supply Voltage (Min) 3 V
Supply Voltage (Max) 36 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature 70 C°
Brand National Semiconductor
Package DIP-8
زمان پاسخ 1.2 میکرو ثانیه
نوع خروجی Open Collector and Emitter
جریان ورودی 100 نانو آمپر
ولتاژ ورودی افست 7.5 میلی ولت
نوع نصب روی برد Through Hole
جریان تامین 300 میکرو آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 3 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 36 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 70 درجه سانتیگراد
برند National Semiconductor
پکیج DIP-8
Number of Channels 1 Channel
Response Time 1.2 µs
Output Type Open Collector and Emitter
Input Bias Current 100 nA
Input Offset Voltage 7.5 mV
Mounting Style Through Hole
Supply Current 300 µA
Supply Voltage (Min) 3 V
Supply Voltage (Max) 36 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature 70 C°
Brand National Semiconductor
Package DIP-8