BLT82

فرکانس 900 مگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 10 ولت
جریان کلکتور 1 آمپر
نوع پیکربندی Single
بهره تقویت 150
ولتاژ پایه امیتر 3.5 ولت
اتلاف قدرت 1.9 وات
نوع Silicon Planar Epitaxial Transistors
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Philips Semiconductor
پکیج SO-8 (SOP-8)
Frequency 900 MHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 10 V
DC Collector Current 1 A
Configuration Single
Gain-hfe 150
Emitter-Base Voltage (VEBO) 3.5 V
Power Dissipation 1.9 W
Type Silicon Planar Epitaxial Transistors
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Philips Semiconductor
Package SO-8 (SOP-8)