دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

BFG10W/X
BFG10W/X
فرکانس 0.9 گیگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 10 ولت
جریان کلکتور 250 میلی آمپر
نوع پیکربندی 1
بهره تقویت 25
ولتاژ پایه امیتر 2.5 ولت
اتلاف قدرت 400 میلی وات
نوع RF Bipolar Small Signal
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند NXP Semiconductors
پکیج SOT-343 (SC-61)
Frequency 0.9 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 10 V
DC Collector Current 250 mA
Configuration 1
Gain-hfe 25
Emitter-Base Voltage (VEBO) 2.5 V
Power Dissipation 400 mW
Type RF Bipolar Small Signal
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand NXP Semiconductors
Package SOT-343 (SC-61)
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 10 ولت
جریان کلکتور 250 میلی آمپر
نوع پیکربندی 1
بهره تقویت 25
ولتاژ پایه امیتر 2.5 ولت
اتلاف قدرت 400 میلی وات
نوع RF Bipolar Small Signal
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند NXP Semiconductors
پکیج SOT-343 (SC-61)
Frequency 0.9 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 10 V
DC Collector Current 250 mA
Configuration 1
Gain-hfe 25
Emitter-Base Voltage (VEBO) 2.5 V
Power Dissipation 400 mW
Type RF Bipolar Small Signal
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand NXP Semiconductors
Package SOT-343 (SC-61)