BFU730F

فرکانس 55 گیگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری SiGe
ولتاژ کلکتور-امیتر 2.8 ولت
جریان کلکتور 50 میلی آمپر
نوع پیکربندی 1
بهره تقویت 555
ولتاژ پایه امیتر 1 ولت
اتلاف قدرت 197 میلی وات
نوع RF Silicon Germanium
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند NXP Semiconductors
پکیج SOT-343 (SC-61)
Frequency 55 GHz
Polarity NPN Type
Technology SiGe
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.8 V
DC Collector Current 50 mA
Configuration 1
Gain-hfe 555
Emitter-Base Voltage (VEBO) 1 V
Power Dissipation 197 mW
Type RF Silicon Germanium
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand NXP Semiconductors
Package SOT-343 (SC-61)