دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

BFR90
BFR90
فرکانس 5 گیگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 15 ولت
جریان کلکتور 30 میلی آمپر
نوع پیکربندی Single
بهره تقویت 90
ولتاژ پایه امیتر 2 ولت
اتلاف قدرت 300 میلی وات
نوع Silicon Transistors
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Philips Semiconductor
پکیج SOT-37
Frequency 5 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 15 V
DC Collector Current 30 mA
Configuration Single
Gain-hfe 90
Emitter-Base Voltage (VEBO) 2 V
Power Dissipation 300 mW
Type Silicon Transistors
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Philips Semiconductor
Package SOT-37
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 15 ولت
جریان کلکتور 30 میلی آمپر
نوع پیکربندی Single
بهره تقویت 90
ولتاژ پایه امیتر 2 ولت
اتلاف قدرت 300 میلی وات
نوع Silicon Transistors
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Philips Semiconductor
پکیج SOT-37
Frequency 5 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 15 V
DC Collector Current 30 mA
Configuration Single
Gain-hfe 90
Emitter-Base Voltage (VEBO) 2 V
Power Dissipation 300 mW
Type Silicon Transistors
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Philips Semiconductor
Package SOT-37