دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

2SC3357
2SC3357
فرکانس 6.5 گیگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 12 ولت
جریان کلکتور 100 میلی آمپر
نوع پیکربندی Single
بهره تقویت 120
ولتاژ پایه امیتر 3 ولت
اتلاف قدرت 1.2 وات
نوع Silicon Epitaxial Transistors
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند NEC Electronics
پکیج SOT-89
Frequency 6.5 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 12 V
DC Collector Current 100 mA
Configuration Single
Gain-hfe 120
Emitter-Base Voltage (VEBO) 3 V
Power Dissipation 1.2 W
Type Silicon Epitaxial Transistors
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand NEC Electronics
Package SOT-89
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 12 ولت
جریان کلکتور 100 میلی آمپر
نوع پیکربندی Single
بهره تقویت 120
ولتاژ پایه امیتر 3 ولت
اتلاف قدرت 1.2 وات
نوع Silicon Epitaxial Transistors
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند NEC Electronics
پکیج SOT-89
Frequency 6.5 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 12 V
DC Collector Current 100 mA
Configuration Single
Gain-hfe 120
Emitter-Base Voltage (VEBO) 3 V
Power Dissipation 1.2 W
Type Silicon Epitaxial Transistors
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand NEC Electronics
Package SOT-89