دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

BFR505T 115
BFR505T 115
فرکانس 9 گیگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 15 ولت
جریان کلکتور 18 میلی آمپر
نوع پیکربندی Single
بهره تقویت 120
ولتاژ پایه امیتر 2.5 ولت
اتلاف قدرت 150 میلی وات
نوع RF Bipolar Small Signal
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند NXP Semiconductors
پکیج SOT-416 (SC-75A)
Frequency 9 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 15 V
DC Collector Current 18 mA
Configuration Single
Gain-hfe 120
Emitter-Base Voltage (VEBO) 2.5 V
Power Dissipation 150 mW
Type RF Bipolar Small Signal
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand NXP Semiconductors
Package SOT-416 (SC-75A)
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 15 ولت
جریان کلکتور 18 میلی آمپر
نوع پیکربندی Single
بهره تقویت 120
ولتاژ پایه امیتر 2.5 ولت
اتلاف قدرت 150 میلی وات
نوع RF Bipolar Small Signal
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند NXP Semiconductors
پکیج SOT-416 (SC-75A)
Frequency 9 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 15 V
DC Collector Current 18 mA
Configuration Single
Gain-hfe 120
Emitter-Base Voltage (VEBO) 2.5 V
Power Dissipation 150 mW
Type RF Bipolar Small Signal
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand NXP Semiconductors
Package SOT-416 (SC-75A)