دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

SPF5122Z
SPF5122Z
فرکانس 4 مگا هرتز
فن آوری GaAs
بهره تقویت 12.2 دسی بل
شکل سیگنال 0.65 دسی بل
نوع Low Noise Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT
جریان تامین 90 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 5 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 5.25 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند RF Micro Devices
پکیج QFN-8
Frequency 4 MHz
Technology GaAs
Gain 12.2 dB
NF-Noise Figure 0.65 dB
Type Low Noise Amplifier
Mounting Style SMD/SMT
Supply Current 90 mA
Supply Voltage (Min) 5 V
Supply Voltage (Max) 5.25 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand RF Micro Devices
Package QFN-8
فن آوری GaAs
بهره تقویت 12.2 دسی بل
شکل سیگنال 0.65 دسی بل
نوع Low Noise Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT
جریان تامین 90 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 5 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 5.25 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند RF Micro Devices
پکیج QFN-8
Frequency 4 MHz
Technology GaAs
Gain 12.2 dB
NF-Noise Figure 0.65 dB
Type Low Noise Amplifier
Mounting Style SMD/SMT
Supply Current 90 mA
Supply Voltage (Min) 5 V
Supply Voltage (Max) 5.25 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand RF Micro Devices
Package QFN-8