دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

HMC788LP2E
HMC788LP2E
فرکانس 10 گیگا هرتز
بهره تقویت 14 دسی بل
فن آوری Si
شکل سیگنال 9 دسی بل
نوع Gain Block Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT
جریان تامین 76 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 4.5 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 5.5 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند Hittite Microwave
پکیج DFN-6
Frequency 10 GHz
Gain 14 dB
Technology Si
NF-Noise Figure 9 dB
Type Gain Block Amplifier
Mounting Style SMD/SMT
Supply Current 76 mA
Supply Voltage (Min) 4.5 V
Supply Voltage (Max) 5.5 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand Hittite Microwave
Package DFN-6
بهره تقویت 14 دسی بل
فن آوری Si
شکل سیگنال 9 دسی بل
نوع Gain Block Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT
جریان تامین 76 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 4.5 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 5.5 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند Hittite Microwave
پکیج DFN-6
Frequency 10 GHz
Gain 14 dB
Technology Si
NF-Noise Figure 9 dB
Type Gain Block Amplifier
Mounting Style SMD/SMT
Supply Current 76 mA
Supply Voltage (Min) 4.5 V
Supply Voltage (Max) 5.5 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand Hittite Microwave
Package DFN-6