دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

SST12LP14 QVCE
SST12LP14 QVCE
فرکانس 2.485 گیگا هرتز
فرکانس 2.5 گیگا هرتز
بهره تقویت 31 دسی بل
فن آوری InGaP
نوع Power Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT
جریان تامین 340 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 3 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 4.2 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند Silicon Storage Technology
پکیج QFN-16
Frequency 2.485 GHz
Frequency 2.5 GHz
Gain 31 dB
Technology InGaP
Type Power Amplifier
Mounting Style SMD/SMT
Supply Current 340 mA
Supply Voltage (Min) 3 V
Supply Voltage (Max) 4.2 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand Silicon Storage Technology
Package QFN-16
فرکانس 2.5 گیگا هرتز
بهره تقویت 31 دسی بل
فن آوری InGaP
نوع Power Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT
جریان تامین 340 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 3 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 4.2 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند Silicon Storage Technology
پکیج QFN-16
Frequency 2.485 GHz
Frequency 2.5 GHz
Gain 31 dB
Technology InGaP
Type Power Amplifier
Mounting Style SMD/SMT
Supply Current 340 mA
Supply Voltage (Min) 3 V
Supply Voltage (Max) 4.2 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand Silicon Storage Technology
Package QFN-16