دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

MRF653
MRF653
فرکانس 512 مگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 16.5 ولت
جریان کلکتور 2.75 آمپر
نوع پیکربندی 1
بهره تقویت 70
ولتاژ پایه امیتر 4 ولت
اتلاف قدرت 44 وات
نوع Silicon RF Power Transistors
نوع نصب روی برد Through Hole
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Motorola
پکیج CASE 244-04
Frequency 512 MHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 16.5 V
DC Collector Current 2.75 A
Configuration 1
Gain-hfe 70
Emitter-Base Voltage (VEBO) 4 V
Power Dissipation 44 W
Type Silicon RF Power Transistors
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Motorola
Package CASE 244-04
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 16.5 ولت
جریان کلکتور 2.75 آمپر
نوع پیکربندی 1
بهره تقویت 70
ولتاژ پایه امیتر 4 ولت
اتلاف قدرت 44 وات
نوع Silicon RF Power Transistors
نوع نصب روی برد Through Hole
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Motorola
پکیج CASE 244-04
Frequency 512 MHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 16.5 V
DC Collector Current 2.75 A
Configuration 1
Gain-hfe 70
Emitter-Base Voltage (VEBO) 4 V
Power Dissipation 44 W
Type Silicon RF Power Transistors
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Motorola
Package CASE 244-04