دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

BFT93 215
BFT93 215
فرکانس 5 گیگا هرتز
فن آوری Si
منفی یا مثبت PNP قطب
جریان کلکتور -35 میلی آمپر
ولتاژ کلکتور-امیتر -12 ولت
نوع پیکربندی Single
بهره تقویت 50 بتا
ولتاژ پایه امیتر -2 ولت
اتلاف قدرت 300 میلی وات
نوع RF Bipolar Small Signal
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد
برند NXP Semiconductors
پکیج SOT-23 (SC-59)
Frequency 5 GHz
Technology Si
Polarity PNP Type
DC Collector Current -35 mA
Collector Emitter Voltage (VCEO) -12 V
Configuration Single
Gain-hfe 50 (β)
Emitter-Base Voltage (VEBO) -2 V
Power Dissipation 300 mW
Type RF Bipolar Small Signal
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 175 C°
Brand NXP Semiconductors
Package SOT-23 (SC-59)
فن آوری Si
منفی یا مثبت PNP قطب
جریان کلکتور -35 میلی آمپر
ولتاژ کلکتور-امیتر -12 ولت
نوع پیکربندی Single
بهره تقویت 50 بتا
ولتاژ پایه امیتر -2 ولت
اتلاف قدرت 300 میلی وات
نوع RF Bipolar Small Signal
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد
برند NXP Semiconductors
پکیج SOT-23 (SC-59)
Frequency 5 GHz
Technology Si
Polarity PNP Type
DC Collector Current -35 mA
Collector Emitter Voltage (VCEO) -12 V
Configuration Single
Gain-hfe 50 (β)
Emitter-Base Voltage (VEBO) -2 V
Power Dissipation 300 mW
Type RF Bipolar Small Signal
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 175 C°
Brand NXP Semiconductors
Package SOT-23 (SC-59)