دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

BFG31
BFG31
فرکانس 5 گیگا هرتز
منفی یا مثبت PNP قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 15 ولت
جریان کلکتور 100 میلی آمپر
نوع پیکربندی Single
بهره تقویت 25 بتا
ولتاژ پایه امیتر 3 ولت
اتلاف قدرت 1 وات
نوع RF Bipolar Small Signal
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند NXP Semiconductors
پکیج SOT-223
Frequency 5 GHz
Polarity PNP Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 15 V
DC Collector Current 100 mA
Configuration Single
Gain-hfe 25 (β)
Emitter-Base Voltage (VEBO) 3 V
Power Dissipation 1 W
Type RF Bipolar Small Signal
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand NXP Semiconductors
Package SOT-223
منفی یا مثبت PNP قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 15 ولت
جریان کلکتور 100 میلی آمپر
نوع پیکربندی Single
بهره تقویت 25 بتا
ولتاژ پایه امیتر 3 ولت
اتلاف قدرت 1 وات
نوع RF Bipolar Small Signal
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند NXP Semiconductors
پکیج SOT-223
Frequency 5 GHz
Polarity PNP Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 15 V
DC Collector Current 100 mA
Configuration Single
Gain-hfe 25 (β)
Emitter-Base Voltage (VEBO) 3 V
Power Dissipation 1 W
Type RF Bipolar Small Signal
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand NXP Semiconductors
Package SOT-223