دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

BFU590QX
BFU590QX
فرکانس 900 مگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 16 ولت
جریان کلکتور 80 میلی آمپر
نوع پیکربندی Single
بهره تقویت 60 بتا
ولتاژ پایه امیتر 2 ولت
اتلاف قدرت 2 وات
نوع Wideband RF Transistor
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند NXP Semiconductors
پکیج SOT-89
Frequency 900 MHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 16 V
DC Collector Current 80 mA
Configuration Single
Gain-hfe 60 (β)
Emitter-Base Voltage (VEBO) 2 V
Power Dissipation 2 W
Type Wideband RF Transistor
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand NXP Semiconductors
Package SOT-89
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 16 ولت
جریان کلکتور 80 میلی آمپر
نوع پیکربندی Single
بهره تقویت 60 بتا
ولتاژ پایه امیتر 2 ولت
اتلاف قدرت 2 وات
نوع Wideband RF Transistor
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند NXP Semiconductors
پکیج SOT-89
Frequency 900 MHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 16 V
DC Collector Current 80 mA
Configuration Single
Gain-hfe 60 (β)
Emitter-Base Voltage (VEBO) 2 V
Power Dissipation 2 W
Type Wideband RF Transistor
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand NXP Semiconductors
Package SOT-89