دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

BFU530W
BFU530W
فرکانس 2 گیگا هرتز
فن آوری Si
منفی یا مثبت NPN قطب
ولتاژ کلکتور-امیتر 16 ولت
جریان کلکتور 65 میلی آمپر
بهره تقویت 95
نوع پیکربندی Single
ولتاژ پایه امیتر 2 ولت
اتلاف قدرت 450 میلی وات
نوع Wideband RF Transistor
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند NXP Semiconductors
پکیج SOT-323 (SC-70)
Frequency 2 GHz
Technology Si
Polarity NPN Type
Collector Emitter Voltage (VCEO) 16 V
DC Collector Current 65 mA
Gain-hfe 95
Configuration Single
Emitter-Base Voltage (VEBO) 2 V
Power Dissipation 450 mW
Type Wideband RF Transistor
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand NXP Semiconductors
Package SOT-323 (SC-70)
فن آوری Si
منفی یا مثبت NPN قطب
ولتاژ کلکتور-امیتر 16 ولت
جریان کلکتور 65 میلی آمپر
بهره تقویت 95
نوع پیکربندی Single
ولتاژ پایه امیتر 2 ولت
اتلاف قدرت 450 میلی وات
نوع Wideband RF Transistor
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند NXP Semiconductors
پکیج SOT-323 (SC-70)
Frequency 2 GHz
Technology Si
Polarity NPN Type
Collector Emitter Voltage (VCEO) 16 V
DC Collector Current 65 mA
Gain-hfe 95
Configuration Single
Emitter-Base Voltage (VEBO) 2 V
Power Dissipation 450 mW
Type Wideband RF Transistor
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand NXP Semiconductors
Package SOT-323 (SC-70)