دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

MAX2659ELT
MAX2659ELT
فرکانس 2 گیگا هرتز
بهره تقویت 20.5 دسی بل
فن آوری Si
شکل سیگنال 0.8 دسی بل
نوع Low Noise Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT
جریان تامین 4.1 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 1.6 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 3.6 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند Maxim Integrated
پکیج UDFN-6
Frequency 2 GHz
Gain 20.5 dB
Technology Si
NF-Noise Figure 0.8 dB
Type Low Noise Amplifier
Mounting Style SMD/SMT
Supply Current 4.1 mA
Supply Voltage (Min) 1.6 V
Supply Voltage (Max) 3.6 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand Maxim Integrated
Package UDFN-6
بهره تقویت 20.5 دسی بل
فن آوری Si
شکل سیگنال 0.8 دسی بل
نوع Low Noise Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT
جریان تامین 4.1 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 1.6 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 3.6 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند Maxim Integrated
پکیج UDFN-6
Frequency 2 GHz
Gain 20.5 dB
Technology Si
NF-Noise Figure 0.8 dB
Type Low Noise Amplifier
Mounting Style SMD/SMT
Supply Current 4.1 mA
Supply Voltage (Min) 1.6 V
Supply Voltage (Max) 3.6 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand Maxim Integrated
Package UDFN-6